日前，全球顶级闪存峰会（2019 Flash Memory Summit，FMS）在美国硅谷召开。作为业界领先的固态存储控制芯片及整体解决方案提供商，国科微受邀参会并展示了基于东芝XL-Flash闪存技术的超低延迟NVMe SSD原型机。FMS被公认为存储行业的国际顶级峰会，每年来自全球的优秀闪存企业汇聚于此，针对新技术、新产品进行深入的沟通与交流，在头脑风暴中碰撞出存储未来新风向。

一年前的FMS2018上，东芝重磅推出XL-Flash闪存技术，这一技术采用超低延迟的3D SLC闪存，使得读取延迟缩减至5微秒之内，相比3D TLC内存仅为后者的十分之一。同时，这一技术极大地提升了固态硬盘的速度与容量，并降低了成本。

洞察技术新潮流，把握市场先发优势，国科微率先投入基于XL-Flash的NVMe SSD原型机研发，并在FMS2019上正式亮相。国科微NVMe SSD原型机搭载其NVMe控制器2311系列，已能实现低于20微秒的4K随机读取延迟，未来将把读取延迟优化到低于15微秒。

国科微NVMe控制器2311系列具有如下主要特性：

• 支持Gen3×4接口，最大带宽写入1.4GB/s、读取2GB/s
• 支持主流TLC/QLC/XL Flash，4通道闪存接口，32个片选信号和4TB容量
• 硬件优化设计，4K 读延时小于15微秒
• 兼容ONFI 3.0/Toggle 2.0 和非同步闪存接口
• 自主产权、高性能LDPC w/Soft DSPECC算法
• 内置国密SM2/3/4 及SHA-256/AES-256加密引擎，支持加密固件
• 定制化开发
• 支持异常掉电保护、热保护、数据自毁

在FMS2019上，东芝同时宣布，XL-Flash将于今年9月出样，明年实现量产。可以预计，随着XL-Flash的正式量产，国科微这一全新的NVMe SSD也将正式走向市场。

国科微首席运营官周士兵表示：“东芝是全球领先的闪存技术提供商，其3D XL-Flash技术代表着闪存市场的新未来，带来更为出色的使用体验。作为东芝长期的战略合作伙伴，国科微将继续深化与东芝的合作，密切跟踪闪存技术市场发展并投入到更先进的技术研发中，在为用户带来优秀固态硬盘解决方案的同时，引领固态硬盘存储市场发展。”