纳微半导体宣布新一代氮化镓功率芯片NV6128问世，承载功率增加66%，加速进军高功率市场。

加速淘汰慢速硅芯片，抢占市场

爱尔兰都柏林（PRWeb）： 纳微半导体今天正式宣布，新一代氮化镓功率芯片NV6128问世，作为一款全新额定电压650V / 800V的大功率GaNFast功率芯片，NV6128将满足大功率移动设备和消费类电力电子市场的需求，加速淘汰旧的慢速硅芯片，抢占高功率充电市场。 这款70 mOhm NV6128采用6 x 8 mm小型PQFN封装，拥有专有的集成散热垫，适用于高效率，高功率密度的电源系统，电流承载能力提高了66％。

氮化镓（GaN）是新一代半导体材料，其运行速度比旧的慢速硅（Si）器件快100倍，在传统硅充电器一半的体积和重量情况下，氮化镓充电器的输出功率和充电速度与前者相比均可提升三倍。 GaNFast功率芯片集成了GaN功率器件，驱动器以及保护和控制功能，实现了使用最简单，体积最小，速度最快，如今更高功率的性能。

纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“ 纳微GaNFast氮化镓功率芯片已被联想，戴尔，OPPO，小米等一线品牌客户广泛采用，应用于高达200W的快充充电器设计中，出货量超过1300万，成功实现零故障。” “借助更高功率的NV6128，我们可将有效功率范围扩展到500W，应用于今后的消费类电子市场，此外还可以应用于数千瓦级别的数据中心，电动交通工具和新能源设备。”

与竞争对手的解决方案不同，NV6128的额定工作电压为650V，此外还具有800V的峰值电压能力，可在瞬态事件期间稳定运行。 作为真正的功率芯片，GaN栅极得到了全面保护，整个器件满足2kV行业领先的静电放电（ESD）规格。

纳微半导体首席技术官，首席运营官兼联合创始人Dan Kinzer表示：“这可以说是天壤之别，与当前一线OEM采用旧的慢速硅器件及传统二极管整流加boost PFC拓扑设计的低频（50-70kHz工作频率）笔记本充电器相比，纳微GaNFast NV6128使高频totem pole拓扑的应用成为可能，300W的设计方案功率密度可达1.1W/cc以上，搭配现有的200kHz控制方案，体积和重量均可缩小三倍。当我们将开关速度提高到MHz +时，功率密度又将出现另一大幅提升。”

对于从事电力电子设计的工程师而言，NV6128和所有GaNFast氮化镓功率芯片系列都为200-500W应用提供了更易于使用，且高速高效的解决方案，如电脑一体机，电视，游戏机，电动滑板车，电动自行车等电动交通工具的充电器，游戏笔记本电脑等其他设备的充电器等。

NV6128现已大批量生产，可立即从Navitas经销合作伙伴处订购，千片批购价为7.85美元。设计相关材料，包括详细的规格书，电气模型（SPICE）和机械模型（.stp）欢迎您前往纳微官网链接 https://www.navitassemi.com/download/下载。